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광전 효과
빛이 물체를 비추면, 물체를 충격시키는 에너지 E를 갖는 일련의 광자로 간주 될 수있다. 광자의 에너지가 충분히 크면 재료의 내부 전자가 광자 에너지를 흡수하고 내부 힘 제약을 제거하며 해당 전기 효과의 물리적 현상이 발생합니다. 광전 효과.
1) 빛의 작용 하에서 전자가 물체의 표면에서 빠져 나오는 현상을 광전지, 광전자 증 배관 등과 같은 외부 광전 효과라고합니다.
2) 빛의 작용 하에서, 물체의 저항이 변하는 현상을 포토 레지스트, 포토 다이오드, 포토 트랜지스터, 감광성 사이리스터 등과 같은 내부 광전 효과 라한다.
3) 빛의 작용 하에서 물체가 특정 기전력의 방향을 생성하는 현상을 광전지 현상 (photocell)과 같은 광전지 현상이라고합니다 (광전지 표면의 입사 지점의 위치에 민감한 장치에 속함).
2. 사진 저항
포토 레지스트에 광이 조사되면, 전자가 이동하여 전자-정공 쌍을 생성하여 저항률을 작게 만든다. 빛이 강할수록 저항이 낮아집니다. 입사광이 사라지고 전자-정공 쌍이 회복되고 저항 값이 점차 원래 값으로 돌아갑니다.
3. 감광성 튜브
감광 튜브 (광 다이오드, 광 트랜지스터, 감광 사이리스터 등)는 반도체 장치입니다.
4. 전자 발광
전계의 여기 하에서 고체 발광 물질에 의해 생성 된 발광 현상을 전계 발광이라한다. 전계 발광은 전기 에너지를 직접 광 에너지로 변환하는 과정이다. 발광 다이오드 (LED)는 특수 재료로 도핑하여 제조 된 반도체 전계 발광 장치이다. PN 접합이 순방향 바이어스되면, 전자-정공 재조합시 과도한 에너지의 생성으로 인해 광자의 형태로 광을 생성한다.
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